电磁导轨产生严重烧蚀，甚至将发射时的炮弹尾部直接等离子化。
而这样的电磁烧蚀在电磁炮发射过程中是无可避免的，想要跨越这个难关，就必须在材料学上有所突破，采用极耐高温烧蚀、同时强度也足够的材料来制造导轨和炮弹。
虽然陈念已经制造了一系列的高耐热材料，但相对于电磁炮集肤效应所造成的破坏力来说，这些材料无论是在强度、还是在耐热性上都仍然有所不足。
所以，要想一劳永逸地解决问题，就只能是为电磁炮导轨“定制”一种新材料。
陈念计划中的解决方案很简单，那就是对导轨部分喷涂不影响其导电性能的薄膜涂层，用以保护因集肤效应产生的巨大火球对导轨的烧蚀。
而这种薄膜涂层的材料，陈念也早就有了打算：
用阿尔法碳化硅。
这玩意儿的硬度高、密度低，且耐磨耐高温，最重要的是，它的导电性虽然不如铝合金、不如钨铜合金，但也不至于差到能影响导轨电流工作的程度。
并且，根据陈念之前的科技树规划，αSiC完全就是点在了碳材料的垂直发展路线上，由于有前期研究打底，目前α-SiC的整体解析消耗极低。
只需要不到3个源点。
相比陈念现在接近160个点的源点，简直就跟不要钱没区别。
短短半个小时的时间，陈念就完成了α-SiC材料的解析，让他惊喜的是，这一次他所获取到的技术，居然并不仅仅局限于碳化硅本身的制取技术和工艺，还包括一系列的扩展技术。
其中，最具有实用性的，就包括SiC中的掺杂和缺陷在诱导本征磁性起源中的作用、通过缺陷工程调控半导体磁性、4HSiC晶体的非线性光学效应、利用SiC制备大面积高质量的石墨烯及SiC/石墨烯复合材料等等几个，更超前的部分，甚至直接将碳化硅的应用扩展到了光催化领域。
这是什么概念？
简单来讲，第三代半导体技术就是由碳化硅和氮化镓构成的，现在，因为自己的技术解析，碳化硅的完整发展路线提前建成，许多原本需要缓慢发展和突破的技术，将再一次被提前。
陈念隐约意识到了这项技术的潜力。
如果碳化硅技术能提前实现大规模商用化，那么国内在新能源市场的布局也将得到重大助力。
毕竟，碳化硅模块是实现电池快充的核心技术之一，也是电取代油的过程中重要的一步
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