将硅片进行加热，让光化学胶中的光反应充分完成，以弥补曝光强度不足的问题，同时还能减少显影后因回驻波效应所带来的纹路现象。
接下来便是第六个步骤，显影和清洗。
使用超纯水浸润硅片，将显影液，也就是四甲基氢氧化铵均匀喷洒在光刻胶表面，让曝光部分充分溶解，最后使用超纯水冲洗光刻胶，留下与光掩模设计一致的坑道。
第七步则是沉积，按照顺序在硅片表面不同部分沉积杂质，层层刻蚀堆叠，在一张硅片上创造出数十亿记个PN二极管。
当然这并不算完，一张光掩模想要完整造出芯片雏形无疑是痴人说梦，为了保证工业效率，在这三步需要至少数台光刻机循环反复进行数千次曝光，一张5英寸的硅片才能初步产出两百到三百张左右的芯片雏形。
这些芯片雏形还要进行测量检查，使用显微镜，乃至是电子显微镜进行初步检查，例如它的光刻胶膜厚，套刻精度，以及其它关键尺寸等。
另外还要通给它通电，进行最终检查，确认芯片是否能够正常工作。
就算是在这个年代，一张芯片上也至少有数千万晶体管，要说它一个都不会坏，那是不可能的。在IC设计之初，往往早就对晶体管电路做过冗余设计，也就是坏个10%左右一般影响不大，实在不行就屏蔽掉一些区域。
屏蔽区域比较多的区域，就是次品，但它也能正常工作，屏蔽区域较少或者完全没有屏蔽的芯片则是良品，则卖价较贵。
无良奸商们为了最大化利润，于是便想出了一套妙招，将市场上的芯片进行分级。就拿英厂来说，次品芯片制成i3级别，一般一点的制成i5级别，而良品们，则通通是i7……
当然，这部分属于是封装上的问题了，而封装工艺相对比较成熟，也不在叶志华团队所考察的范围之内。
光刻室内的所有设备和化学试剂全部依赖于进口，完全继承于德意志东门子公司，在详细的观察中，叶志华和王向中均没有发现有什么明显的问题存在。
这也就表明生产线的问题真的存在于净室之外的硅片制造环节污染物上。
但令王向中疑惑的是，这么明显的问题，为什么迟迟都没有人发现呢？按道理来讲，就拿眼前的左为民来说，他不可能不知道氯化氢挥发物这种空气污染对生产线的影响。
可是他为什么对此时视若无睹呢？
在几人离开净室后，还未等脱下防尘服，王向中立马走上
…。。